[发明专利]一种亚分辨率辅助图形的修正方法及电子设备有效
申请号: | 201910689362.9 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110426914B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 方伟 | 申请(专利权)人: | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 王琴;梁琴琴 |
地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及一种亚分辨率辅助图形的修正方法及电子设备。所述方法包括步骤:提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图;在主图形的周围形成一评价点放置区域并在评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点;将亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点;通过计算每个关联评价点的强度,并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值,基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正,能很好的提高修正的准确性,不需要通过反演光刻技术等较复杂的手段判定是否需要修正,能很好的减少运算量以及提高修正速度,使得对亚分辨率辅助图形的修正更简单快速。 | ||
搜索关键词: | 一种 分辨率 辅助 图形 修正 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种亚分辨率辅助图形的修正方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图;S2、在所述主图形的周围形成一评价点放置区域并在所述评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点;S3、将所述亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点;及S4、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度,并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值,基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方晶源微电子科技(北京)有限公司,未经东方晶源微电子科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910689362.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩膜板的制备方法、掩膜板及阵列基板
- 下一篇:光学邻近修正方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备