[发明专利]增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201910689945.1 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112310208A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 曲爽;庄建治;王晓亮;李巍 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 弋梅梅;刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置。增强型氮化镓基晶体管，包括层叠设置的衬底、功能层和晶体管层。晶体管层包括掺杂帽层、栅极、源极和漏极。掺杂帽层、源极和漏极均与功能层的表面接触且彼此隔离，掺杂帽层位于源极和漏极之间。栅极设置在掺杂帽层的远离功能层的表面。掺杂帽层中具有至少一个掺杂区域，且掺杂区域的上表面为掺杂帽层朝向栅极的表面的至少一部分。掺杂区域的上表面与栅极的下表面相接触。其中，栅极的下表面为栅极朝向掺杂帽层的表面。本申请实施例提供一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置，能降低器件的栅极漏电，提高栅压摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 晶体管 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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