[发明专利]基于SOI衬底的热光相移器的制备方法在审
| 申请号： | 201910690187.5 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112305785A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡艳;俞文杰;王书晓;刘强;余明斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SOI衬底的热光相移器的制备方法，包括步骤：形成图形化的SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括底硅层、绝缘层及顶硅层，所述SOI衬底内具有凹槽，所述凹槽的下表面与所述底硅层的下表面具有间距，所述顶硅层覆盖所述凹槽；对所述凹槽上方的所述顶硅层进行光刻刻蚀以形成硅波导；形成介质层、加热电阻及金属电极；所述介质层至少覆盖所述硅波导；所述加热电阻位于所述硅波导的上方或位于所述硅波导的一侧，所述加热电阻与所述硅波导之间具有间距；所述金属电极与所述加热电阻相连接。本发明有助于生产良率和器件性能的提高，有利于制备流程的进一步简化和生产成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 相移 制备 方法 | ||
【主权项】：
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