[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910690282.5 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111725235B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 佐久间悠;宫川英典;藤井章辅;佐久间究;荒井史隆 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B51/20;H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体存储装置，具备：衬底；多个第1半导体部，沿与衬底的表面交叉的第1方向排列；第1栅极电极，沿第1方向延伸，从与第1方向交叉的第2方向与多个第1半导体部对向；第1绝缘部，设置在第1半导体部及第1栅极电极之间；第1布线，在第1方向上与第1栅极电极隔开；第2半导体部，连接于第1栅极电极的第1方向的一端及第1布线；第2栅极电极，与第2半导体部对向；及第2绝缘部，设置在第2半导体部及第2栅极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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