[发明专利]化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件

摘要

本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，包括：选区刻蚀化合物半导体外延层，以在化合物半导体上形成腐蚀槽；在外延层的刻蚀面以及腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层；在硅基衬底上涂敷热固性胶层；将上述化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆键合；刻蚀化合物半导体的衬底、形成部分键合介质层以及胶层。本发明通过选区刻蚀形成的腐蚀槽，利于热固性胶层中气泡的排出，在化合物半导体上形成键合介质层，保护了化合物半导体的表面，通过热固性胶层与键合介质层的键合，实现了化合物半导体的外延层与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的良好键合。

主权项

1.一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n选区刻蚀化合物半导体外延层，直至露出化合物半导体衬底的表面，以在所述化合物半导体上形成腐蚀槽；/n在所述外延层的刻蚀面以及所述腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层，备用；/n在硅基互补金属氧化物半导体晶圆的硅基衬底上涂敷热固性胶层，备用；/n将上述备用的化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆对准贴合，再进行键合；/n刻蚀所述化合物半导体的衬底、形成于所述化合物半导体衬底上的部分键合介质层以及位于所述腐蚀槽内的胶层，直至露出硅基互补金属氧化物半导体晶圆的硅基衬底。/n