[发明专利]快恢复二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910691503.0 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112310226B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘勇强;曾丹;敖利波;肖婷;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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