[发明专利]交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法在审
| 申请号： | 201910691839.7 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110376283A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 徐江;李勇;胡超越 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N29/04 | 分类号： | G01N29/04 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于无损检测相关技术领域，其公开了一种交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法，该方法包括以下步骤：(1)提供实验平台，并分别确定所述实验平台中的激励传感器的最佳激励偏置磁场强度及接收传感器的最佳接收偏置磁场强度；(2)基于最佳激励偏置磁场强度、最佳接收偏置磁场强度及固定覆盖率，分别确定激励传感器的环形线圈的最佳线径及接收传感器的环形线圈的最佳线径；(3)分别基于得到的最佳线径及磁场强度计算公式计算得到激励传感器的环形线圈的设计匝数及接收传感器的环形线圈的设计匝数，由此完成结构参数的优化，所述结构参数包括环形线圈的线径及匝数。本发明提高了传感器的换能效率，适用性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 环形线圈 结构参数 偏置磁场 线径 激励传感器 接收传感器 匝数 导波传感器 磁致伸缩 交叉线圈 实验平台 最佳接收 优化 强度计算公式 换能效率 无损检测 扭转 传感器 磁场 覆盖率 | ||
【主权项】：
1.一种交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供实验平台，并分别确定所述实验平台中的激励传感器的最佳激励偏置磁场强度及接收传感器的最佳接收偏置磁场强度；(2)基于最佳激励偏置磁场强度、最佳接收偏置磁场强度及固定覆盖率，分别确定激励传感器的环形线圈的最佳线径及接收传感器的环形线圈的最佳线径；(3)分别基于得到的最佳线径及磁场强度计算公式计算得到激励传感器的环形线圈的设计匝数及接收传感器的环形线圈的设计匝数，由此完成结构参数的优化，所述结构参数包括环形线圈的线径及匝数。
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