[发明专利]NiS2

摘要

本发明涉及NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO材料及基于其的HER电催化修饰电极。包括将二硫化镍和二硫化钼负载于聚1‑乙烯基‑3‑乙基咪唑溴盐/聚吡咯/氧化石墨烯上，制备NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO。将NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO附着在玻碳电极上制备NiS2‑MoS2/PVEIB/PPy/GO修饰电极。在酸性条件下，以NiS2‑MoS2为活性中心，PVEIB/PPy/GO为基底的复合纳米材料可以促进HER的电子传输，因此提高了水分解的反应速率，并显示出较低的过电位，使这种纳米材料修饰电极在水分解产氢方面表现出了较高的电化学活性及良好的稳定性。

主权项

1.NiS₂‑MoS₂/PVEIB/PPy/GO材料，其特征在于，制备方法包括如下步骤：1)在超声辐射的条件下，将吡咯原位化学聚合于GO纳米片上，得PPy/GO纳米片；2)在油浴加热的条件下，将1‑乙烯基‑3‑乙基咪唑溴盐原位聚合于PPy/GO纳米片上，得PVEIB/PPy/GO纳米片；3)将PVEIB/PPy/GO纳米片分散于水中，然后依次加入(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O、NiCl₂·6H₂O和硫代乙酰胺，搅拌均匀，所得反应体系进行水热反应，所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤，离心，真空干燥，得NiS₂‑MoS₂/PVEIB/PPy/GO材料。