[发明专利]一种磁性隧道结、制作方法、自旋二极管及存储器有效
| 申请号： | 201910693146.1 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110459674B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;周航宇;周家琦;曹凯华;李智;张有光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结、制作方法、自旋二极管及存储器，针对基于传统单势垒磁性隧道结MRAM的隧穿极化电流透射率较低、RA较大的问题，本申请提出的基于多势垒层的磁性隧道结，在保证高TMR的情况下，增加隧穿极化电流透射率，降低RA，进而降低器件功耗，同时提高自旋转移矩翻转过程的可靠性。本发明提出的基于多势垒层的磁性隧道结具有低功耗、低写入错误率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 制作方法 自旋 二极管 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结，其特征在于，包括：/n第一磁性层，具有固定磁化方向；/n第二磁性层，具有可翻转的磁化方向；/n多层势垒层，位于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间，并由非磁性绝缘材料形成；以及/n插入层，位于任意相邻的两层势垒层之间。/n
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