[发明专利]在低温下的选择性硅锗外延的方法在审
| 申请号： | 201910694021.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783171A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄奕樵;仲华 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/04;C23C16/42;C23C16/455 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 工艺气体 硅锗材料 沉积 掺杂剂源气体 蚀刻剂气体 硅源气体 基板暴露 基板处理 基板定位 介电材料 锗源气体 硅单晶 载气 室内 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上沉积硅锗材料的方法，包括：/n将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；/n将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；/n将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：/n硅源气体，/n锗源气体，/n蚀刻剂气体，/n载气，和/n至少一种掺杂剂源气体；和/n在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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