[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910694119.6 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783410A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴家扬;张简旭珂;王廷君;游咏晞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导电接触件 晶体管 源极/漏极 阻挡层 电连接 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n晶体管，具有源极/漏极和栅极；以及/n用于所述晶体管的导电接触件，所述导电接触件提供至所述晶体管的所述源极/漏极或所述栅极的电连接；/n其中：/n所述导电接触件包括多个阻挡层；以及/n所述阻挡层具有彼此不同的深度。/n
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