[发明专利]一种相变存储器读出电路及方法有效
| 申请号： | 201910694311.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110444239B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 雷鑑铭;阮鑫;孔超;曹旭峰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器读出电路及方法，包括全差分读出电路、预充电电路，全差分读出电路采用差分比较电路对相变存储器上的电流和使相变存储器的阻值处于高低阻值临界状态的参考电流进行比较判断以读取存储单元的逻辑值；预充电电路在读取相变存储器之前对连接相变存储器的位线上的寄生电容预充电。本发明所提供的相变存储器读出方法在对相变存储器进行读取之前首先对相变存储器位线上的寄生电容进行预充电，降低了读取过程中对寄生电容进行充电带来的延时，读取速度快，适合大规模相变存储器的读取。另外，本发明采用全差分读出电路对相变存储器进行读取，通过作差抵消了电路中非理想因素，提高了电路的匹配性，从而提高了读出电路的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 读出 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器读出电路，其特征在于，包括全差分读出电路、预充电电路；所述全差分读出电路与所述预充电电路共同连接到相变存储器位线上；所述全差分读出电路用于采用差分比较电路对相变存储器上的电流和使相变存储器的阻值处于高低阻值临界状态的参考电流进行比较判断，从而读取存储单元的逻辑值；所述预充电电路用于在读取相变存储器之前对连接相变存储器的位线上的寄生电容预充电。
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