[发明专利]具有非晶结构的硅粘合涂层及其形成方法有效
| 申请号： | 201910694603.9 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110777352B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 格伦·哈罗德·柯比;贾斯汀·迈克尔·纳吉;约翰·塔姆·阮;杰弗里·艾伦·布罗斯;布莱恩·哈维·比尔森纳;罗伯特·马丁·费克 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/40;C23C16/56;C23C28/00 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了涂层部件及其形成和使用方法。涂层部件包括：具有表面的基底；位于基底表面上的硅基粘合涂层；和位于硅基粘合涂层上的隔离涂层。硅基粘合涂层包含非晶硅相，该非晶硅相中分布有(例如，平均尺寸为约0.03μm至约3μm的)晶体硅晶粒。非晶硅相可以由纯硅金属形成，或者可以由其中分散有硼、氧和/或氮的硅金属形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 粘合 涂层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂层部件，其中，所述涂层部件包括：/n基底，所述基底具有表面；/n硅基粘合涂层，所述硅基粘合涂层位于所述基底的表面上，其中，所述硅基粘合涂层包含其中分布有晶体硅晶粒的非晶硅相；和/n隔离涂层，所述隔离涂层位于所述硅基粘合涂层上。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
