[发明专利]直接转换X射线探测材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。

主权项

1.一种直接转换X射线探测材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n步骤一、将TFT基板用丙酮、乙醇和去离子水各超声清洗10～20分钟，去除表面杂质和有机物，最后用氮气吹干放入真空箱中备用；/n步骤二、将高纯的Cd、Zn、Te放入石英管中，采用布里奇曼法生长出Cd_1-xZn_xTe多晶锭切片，将生长好的Cd_1-xZn_xTe多晶体切片作为生长源，使用前进行砂纸磨抛处理，去除表面氧化物，最后用酒精、丙酮、蒸馏水各清洗10～20分钟，氮气吹干，放入干燥箱中备用；/n步骤三、将生长源和TFT基板从干燥箱和真空箱取出，分别放到用石英柱子支撑的石墨圆盘上和AlN圆盘上，通过石英柱子调控源基距为5～10mm，先开机械泵抽真空，气压抽到5～10Pa，启动分子泵，生长过程通入氩气调节室内气压；然后开启水冷和启动温度系统，分别将生长源和TFT基板升温到200～300℃和50～100℃，预热30min，最后将生长源和TFT基板分别缓慢加热到600～720℃和200～300℃，升温速度10℃/min，生长时间1～2h，然后将生长源温度缓慢降温到200～300℃，保温30min，再缓慢加热到600～700℃，生长时间2h，生长结束后TFT基板以1～2℃/min的降温速率缓慢降到100℃，然后自然冷却到室温，得到X射线探测材料。/n