[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910696415.X | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783271A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘中伟;柯宇伦;邱意为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体结构的形成方法。本公开提供多层内连线系统中的金属间介电层，其采用的低介电常数的介电材料与其化学与物理特性的形成方法。此处所述的沉积技术包括等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积工艺，其前驱物如四乙氧基硅烷及二乙氧基甲基硅烷可提供必要的氧原子，而可不采用氧气作为反应物之一。所述的沉积技术可还包含采用氧气的等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积，其采用的前驱物可含有埋置的硅‑氧‑硅键如(CH | ||
| 搜索关键词： | 原子层沉积 等离子体辅助化学气相沉积 等离子体辅助 前驱物 沉积 氧气 二乙氧基甲基硅烷 原子层沉积工艺 金属间介电层 四乙氧基硅烷 半导体结构 低介电常数 介电材料 物理特性 反应物 内连线 氧原子 多层 硅键 埋置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n形成一导电单元于一基板上的一介电层中；/n沉积一介电材料于该导电单元上，且沉积该介电材料的步骤包括：/n将该基板置入一工艺腔室；/n将一第一前驱物导入该工艺腔室，且该第一前驱物包括硅原子与氧原子；以及/n将一第二前驱物导入该工艺腔室，以反应形成该介电材料，该第二前驱物包括碳氢化合物，其中沉积该介电材料的步骤不含气态氧；/n移除该介电材料的一部分，以露出该导电单元；以及/n形成一接点穿过该介电材料至该导电单元。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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