[发明专利]制备硅化镁热电材料块体的方法、装置及热电材料块体有效
| 申请号： | 201910697122.3 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110729391B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴志玮;路瑶;孟金博 | 申请（专利权）人： | 上海彩石激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/10;H10N10/851 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201114 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备硅化镁热电材料块体的方法及热电材料块体，所述方法以硅化镁和纯镁粉末为熔覆粉末，采用激光熔覆工艺及增材制造工艺，直接成型具有热电性能的硅化镁热电材料块体。利用本发明提供的制备硅化镁热电材料块体的方法可以实现大尺寸，复杂形状的热电材料块体的制备，根据本发明提供的制备硅化镁热电材料块体的方法制备得到的热电材料块体的致密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 硅化镁 热电 材料 块体 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备硅化镁热电材料块体的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：将基板放入充满第一惰性气体的密闭环境箱中；/n步骤S2：将熔覆粉末通过送粉机构送入所述密闭环境箱中，所述熔覆粉末可通过混合硅化镁预合金粉末和纯镁粉得到；/n步骤S3：采用激光熔覆工艺，使得所述熔覆粉末在所述基板上熔覆形成熔覆道；/n步骤S4：先采用增材制造工艺得到熔覆路径，然后重复执行步骤S3，直至得到硅化镁热电材料块体，所述增材制造工艺包括将所述硅化镁热电材料块体的三维模型逐层切片并生成每层的熔覆路径，按照所述熔覆路径对所述基板逐层熔覆。/n
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