[发明专利]核壳型量子点、其制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910697305.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110373194B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈小朋;叶荣琴 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 白雪 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种核壳型量子点、其制备方法及其应用。该方法包括：S1，提供含CdSe量子点核的溶液；S2，将含CdSe量子点核的溶液、含Zn源的溶液、含Se源的溶液混合，然后以滴加或分批次的方式向体系中加入含S源的溶液反应，以在CdSe量子点核上外延生长多个ZnSe |
||
| 搜索关键词： | 核壳型 量子 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种核壳型量子点的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供含CdSe量子点核的溶液；S2，将所述含CdSe量子点核的溶液、含Zn源的溶液、含Se源的溶液混合，然后以滴加或分批次的方式向体系中加入含S源的溶液反应，以在所述CdSe量子点核上外延生长多个ZnSeXS1‑X单层壳，得到含CdSe/ZnSeXS1‑X量子点的体系；此时沿远离所述CdSe量子点核的方向上，各所述ZnSeXS1‑X单层壳的X由1逐渐减小且最小值取小于1并大于0；可选的S3，在所述CdSe/ZnSeXS1‑X量子点的外部进一步包覆ZnS壳层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司，未经纳晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910697305.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
