[发明专利]基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910697425.5 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110320678B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 何晓勇;林方婷;刘锋 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00;G02F1/01
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 刘燕武
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法,太赫兹波调制器包括:聚合物柔性衬底层;掺杂半导体外延层:生长在聚合物柔性衬底层表面;生长在半导体硅外延层上的SiO2绝缘‑钛酸锶微结构复合层:其包括位于下方的SiO2绝缘层,以及生长在SiO2绝缘层上的钛酸锶微结构层。与现有技术相比,本发明的制得的调制器的品质因子高、可调性能好和调制深度大,且制备工艺相对简单,适合于规模化生产应用。
搜索关键词: 基于 钛酸锶全 介质 材料 赫兹 调制器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器,其特征在于,包括:聚合物柔性衬底层;掺杂半导体外延层:生长在聚合物柔性衬底层表面;生长在半导体硅外延层上的SiO2绝缘‑钛酸锶微结构复合层:其包括位于下方的SiO2绝缘层,以及生长在SiO2绝缘层上的钛酸锶微结构层。
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