[发明专利]常关型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910698159.8 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110534557B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;龙世兵;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种常关型场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：氮化镓衬底(1)；氧化镓外延层(2)，其形成在氮化镓衬底(1)上，两者交界面形成氮化镓/氧化镓异质结界面；氮化铝外延层(3)，其形成在氧化镓外延层(2)上，两者交界面形成氮化铝/氧化镓异质结界面；帽层(4)，其形成在氮化铝外延层(3)上。该晶体管充分利用三族氮化物和氧化镓的材料特性，在氮化铝/氧化镓界面处产生高密度的极化电荷，提高二维电子气浓度，增加电导率，场效应晶体管电学性能提高，在实现常关操作方面，采用p型氮化镓作为栅极帽层，使阈值电压不受界面态影响，增强场效应晶体管的可靠性，且沟道下方的电阻率提高，减小了漏极漏电流和亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种常关型场效应晶体管，包括：/n氮化镓衬底(1)；/n氧化镓外延层(2)，其形成在所述氮化镓衬底(1)上，两者交界面形成氮化镓/氧化镓异质结界面；/n氮化铝外延层(3)，其形成在所述氧化镓外延层(2)上，两者交界面形成氮化铝/氧化镓异质结界面；/n帽层(4)，其形成在所述氮化铝外延层(3)上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910698159.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
