[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置有效
| 申请号： | 201910698737.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110820042B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。本发明的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件被配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，将所述多个遮蔽板投影到所述原料收纳部中填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而得到的遮蔽率为0.5以上。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 构件 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910698737.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
