[发明专利]一种莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法在审
申请号: | 201910699059.7 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110452008A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 罗旭东;侯庆冬;杨孟孟 | 申请(专利权)人: | 辽宁科技大学 |
主分类号: | C04B35/81 | 分类号: | C04B35/81;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/636;C04B35/65;C04B38/06 |
代理公司: | 21246 鞍山顺程商标专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 范伟琪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 114225辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明专利涉及一种莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法,以碳化硅粉和硅粉为原料,以硝酸铝作为铝源,氟化铵作为催化剂,淀粉作为结合剂及造孔剂,经预混、溶解、混炼、成型、干燥、烧成,得到具有莫来石晶须增强的碳化硅多孔陶瓷。在较低的温度下烧成,并在碳化硅颗粒之间形成莫来石晶须,增强了碳化硅多孔陶瓷的断裂韧性,进一步增强了碳化硅多孔陶瓷的抗折强度,从而得到高强度的碳化硅多孔陶瓷。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅多孔陶瓷 莫来石晶须 烧成 碳化硅颗粒 断裂韧性 碳化硅粉 氟化铵 结合剂 硝酸铝 造孔剂 硅粉 混炼 抗折 铝源 预混 催化剂 淀粉 制备 成型 溶解 | ||
【主权项】:
1.一种莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:多孔陶瓷原料是由下述质量百分比的组分组成:/n粒径小于0.045mm的碳化硅粉60-70wt%/n粒径小于0.045mm的硅粉8-13wt%/n粒径小于0.045mm的硝酸铝20-25wt%/n粒径小于0.045mm的氟化铵2-8wt%/n还包括占多孔陶瓷原料总质量5-10wt%的淀粉作为外加剂;/n制备具有莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷,具体操作步骤如下:/n步骤一,预混,将上述碳化硅粉和硅粉,在搅拌机中进行充分搅拌,得混合粉料;/n步骤二,溶解,将上述硝酸铝和氟化铵置于搅拌器中溶解于适量水,并持续搅拌,充分反应,得混合溶液;/n步骤三,混炼,将步骤二的混合溶液加入到步骤一的混合粉料中,外加以多孔陶瓷原料总质量5-10wt%的淀粉,置于混炼机中继续混炼10-20分钟,得到混炼后的浆料;/n步骤四,成型,将混炼后的浆料放入模具中进行成型浇注,待样品在模具中养护24-48小时后脱模,形成陶瓷坯体;/n步骤五,干燥,将脱模后的陶瓷坯体于100℃的条件下干燥24-48小时;/n步骤六,烧成,将干燥后的陶瓷坯体于1350-1550℃的高温中煅烧2-6小时,随炉自然冷却后取出,即得到具有莫来石晶须增强的碳化硅多孔陶瓷。/n
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