[发明专利]一种HJT电池片和HJT组件制备方法在审
申请号: | 201910699735.0 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110429149A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 陈如龙;陈丽萍 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光电技术领域,具体涉及一种HJT电池片制作方法和适用于半片组件和叠瓦组件的HJT组件制备方法。所述HJT电池片制备方法具体包括:提供原始硅片;对原始硅片进行切割;对切割后硅片进行制绒操作,在硅片表面形成绒面;在所述制绒后的硅片表面上沉积形成本征非晶硅层;在所述本征非晶硅层上沉积形成掺杂非晶硅层;在所述掺杂非晶硅层上沉积形成透明导电氧化层;在所述透明导电氧化层上形成栅线电极。所述HJT电池组件制备方法包括:获取第一方面所制成的多个HJT电池片;使用组件封装工艺由第一方面所制成的HJT电池片串联。所述HJT电池片和HJT组件制备方法能够在不损失HJT电池效率的前提下,可以使得HJT电池技术与组件封装技术完美叠加。 | ||
搜索关键词: | 电池片 组件制备 沉积 透明导电氧化层 本征非晶硅层 掺杂非晶硅层 硅片表面 原始硅片 制绒 制备 切割 光电技术领域 电池片串联 电池技术 电池效率 电池组件 封装工艺 使用组件 栅线电极 组件封装 瓦组件 硅片 半片 绒面 叠加 制作 | ||
【主权项】:
1.一种HJT电池片制备方法,其特征在于,所述HJT电池片制备方法具体包括:第一步:提供原始硅片;第二步:对原始硅片进行切割;第三步:对切割后硅片进行制绒操作,在硅片表面形成绒面;第四步:在所述制绒后的硅片表面上沉积形成本征非晶硅层;第五步:在所述本征非晶硅层上沉积形成掺杂非晶硅层;第六步:在所述掺杂非晶硅层上沉积形成透明导电氧化层;第七步:在所述透明导电氧化层上形成栅线电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡尚德太阳能电力有限公司,未经无锡尚德太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910699735.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的