[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910701237.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112310198B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡;高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的源掺杂层以及位于源掺杂层上的层间介质层；刻蚀层间介质层，形成通孔；在通孔的侧壁上形成牺牲层；在牺牲层之间的源掺杂层上形成半导体柱；在半导体柱顶部形成漏掺杂区；形成漏掺杂区后，去除牺牲层，形成第一开口；在第一开口中形成栅极结构，栅极结构包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂区。本发明实施例通孔的直径大于后续形成的半导体柱的直径，通孔侧壁与衬底法线之间的夹角较小，从而半导体柱侧壁与衬底的法线夹角较小，也就是说，半导体柱顶端的尺寸与半导体柱底端的尺寸相差较小，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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