[发明专利]超低导通电阻LDMOS及其制作方法在审
| 申请号： | 201910701420.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309863A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;G03F1/80;G03F1/68 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低导通电阻LDMOS及其制作方法，该方法包括P体区光罩版的版图和闸极光罩版的版图的制作步骤，P体区光罩版包括第一P体区区域，闸极光罩版包括第一闸极区域，两个区域相邻且位置相切，P体区光罩版还包括第二P体区区域，其以第一P体区区域的中心点位置为中心在第一P体区区域的四个方向分别增大一预设长度，在靠近第一闸极区域一侧扣除第一闸极区域部分；该制作方法还使用P体区光罩版进行P体区光罩版闸极刻蚀，以形成P体区窗口。本发明通过版图算法的更新，即将P体区光罩版上的PBD区域在四个方向上分别增大一预设长度，使PBD扩大范围，从而增大了该区域的透光率，提高了超低导通电阻LDMOS的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 超低导 通电 ldmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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