[发明专利]一种高灵敏宽量程电容式力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910701969.4 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110307919A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王庆贺;何威 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高灵敏宽量程电容式力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。所述高灵敏宽量程电容式力传感器包括相键合的硅衬底和玻璃衬板，所述硅衬底的第一端通过介质连接有上层硅薄膜；所述上层硅薄膜的表面依次形成有第一硼硅膜和第一膜上电极；所述硅衬底的第二端形成有下层硅悬臂梁，所述硅衬底的第二端和所述下层硅悬臂梁的上表面覆盖有第二硼硅膜；所述第二硼硅膜的表面依次形成有第二硼硅膜和第二膜上电极；所述高灵敏宽量程电容式力传感器还包括衬底电极，位于所述玻璃衬板的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 电容式力传感器 硅衬底 宽量程 硼硅 灵敏 玻璃衬板 硅悬臂梁 电极 硅薄膜 下层 制备 传感器技术领域 上层 衬底电极 第一端 顶表面 上表面 键合 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高灵敏宽量程电容式力传感器，包括相键合的硅衬底（1）和玻璃衬板（2），其特征在于，所述硅衬底（1）的第一端通过介质（8）连接有上层硅薄膜（3）；所述上层硅薄膜（3）的表面依次形成有第一硼硅膜（51）和第一膜上电极（61）；所述硅衬底（1）的第二端形成有下层硅悬臂梁（4），所述硅衬底（1）的第二端和所述下层硅悬臂梁（4）的上表面覆盖有第二硼硅膜（52）；所述第二硼硅膜（52）的表面依次形成有第二硼硅膜（52）和第二膜上电极（62）；所述高灵敏宽量程电容式力传感器还包括衬底电极（7），位于所述玻璃衬板（2）的顶表面。
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