[发明专利]一种硅基扇出型封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910701985.3 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110416091A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L21/54;H01L23/485 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基扇出型封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在所述硅基正面沉积截止层；提供玻璃载板，与所述截止层键合在一起；在所述硅基背面刻蚀出用于埋入芯片凹槽，并用干膜材料填满；通过再布线技术实现所述埋入芯片与外部互连，再制作阻焊层；在阻焊层开口处制作凸点，切割成单颗封装芯片。本发明通过在硅基表面沉积截止层和引入临时键合技术，解决了硅基扇出型封装刚性翘曲、凹槽刻蚀均一性、凹槽凸点和底部圆角等问题；同时，得益于临时键合技术的引入，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。本发明的封装工艺简单，成本低，封装效率和良率高，适合大规模量产使用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 扇出型封装 截止层 埋入 临时键合 阻焊层 凸点 芯片 集成电路封装 背面刻蚀 玻璃载板 材料填满 底部圆角 封装工艺 封装效率 封装芯片 硅基表面 技术实现 散热性能 芯片凹槽 正面沉积 封装体 均一性 开口处 再布线 引入 干膜 互连 减小 键合 刻蚀 良率 量产 翘曲 沉积 制作 封装 切割 并用 外部 | ||
【主权项】：
1.一种硅基扇出型封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅基，在所述硅基正面沉积截止层；提供玻璃载板，与所述截止层键合在一起；在所述硅基背面刻蚀出用于埋入芯片凹槽，并用干膜材料填满；通过再布线技术实现所述埋入芯片与外部互连，再制作阻焊层；在阻焊层开口处制作凸点，切割成单颗封装芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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