[发明专利]一种太赫兹吸波薄膜的制备方法

摘要

本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种太赫兹吸波薄膜的制备方法。本发明提出的方法是在碳纤维布上依次热压印1‑二茂铁基‑3‑苯基丙‑2‑烯‑1‑酮，涂布导电银胶，热压印2‑二乙氨基‑4‑羟基‑6‑甲基嘧啶，真空蒸镀铝、6‑N,N‑二乙氨基‑4‑甲基‑2‑巯基噻唑[5,4‑d]并嘧啶，涂布N‑β‑(氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷薄膜，经紫外光照射、加热退火，得太赫兹吸波薄膜。该薄膜在2.3~4.8THz的频率范围对电磁波的吸收率为97.3%~99.6%。

主权项

1.一种太赫兹吸波薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1）将面积为20×20cm²的200克重的碳纤维布置于热压印机中，加热至150~180℃，压印1~2μm厚的1‑二茂铁基‑3‑苯基丙‑2‑烯‑1‑酮薄膜，得二层复合布；2）将二层复合布置于涂布机上，在转速为2000转/分下，在1‑二茂铁基‑3‑苯基丙‑2‑烯‑1‑酮薄膜上涂布1~2μm厚的导电银胶薄膜，得三层复合布；3）将三层复合布置于热压印机中，加热至150~180℃，在导电银胶薄膜上压印1~2μm厚的2‑二乙氨基‑4‑羟基‑6‑甲基嘧啶薄膜，得四层复合布；4）将四层复合布置于真空镀膜机中，在真空度为2×10^‑3Pa下，在2‑二乙氨基‑4‑羟基‑6‑甲基嘧啶薄膜上依次蒸镀0.2~0.5μm厚的铝膜、0.5~1μm厚的6‑N,N‑二乙氨基‑4‑甲基‑2‑巯基噻唑[5,4‑d]并嘧啶薄膜，得六层复合布；5）将六层复合布置于涂布机上，在转速为2000转/分下，在6‑N,N‑二乙氨基‑4‑甲基‑2‑巯基噻唑[5,4‑d]并嘧啶薄膜上涂布2~3μm厚的N‑β‑(氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷薄膜，得七层复合布；6）将七层复合布置于紫外光辐射试验箱中，在365nm紫外光下，照射10~20秒，取出，再置于热压印机中，于100~120℃退火3小时，冷却，得太赫兹吸波薄膜；其中太赫兹吸波薄膜的性能是，在2.3~4.8THz频率范围内对电磁波的吸收率为97.3%~99.6%。