[发明专利]一种硒化物纳米棒、其制备方法及其制备的光电探测器

摘要

本发明公开了一种硒化物纳米棒、其制备方法及其制备的光电探测器，属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤：将KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中，在惰性气体保护下，温度为200～240℃，并剧烈搅拌，保温12～24小时，制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成和，然后在非配位溶剂的稀释下，降低其粘度提高其流动性，在熔融碱的这样的碱性环境中In2Se3形成纤锌矿结构的晶核，最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附，诱导生长方向，促使In2Se3晶核继续吸附和少量的和各向异性生长。解决了在实际使用过程中，本征电导率过低，导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。

主权项

1.一种纳米棒薄膜光电探测器，其特征在于，包括：基底，采用SiO₂/Si制备的长方形底板；电极，在所述基底上雕刻有两个偏移预定距离的叉指Au电极，其长宽之比为10:1，指间距与所述叉指Au电极宽度相同；半导体介质，在所电极之间填充有硒化物纳米棒，形成薄膜；所述硒化物纳米棒为(Ag_3xIn_1‑x)₂Se₃，x=0～0.05。