[发明专利]一种ICP-CVD制备非晶碳薄膜的沉积方法在审
| 申请号： | 201910702305.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110257798A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 许开东;崔虎山;邹志文;丁光辉;胡冬冬;陈璐 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/505 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹翠珍 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ICP‑CVD制备非晶碳薄膜的沉积方法，沉积过程为生长‑等离子体轰击‑生长；进行1个或者多个循环；沉积速率是2.5Å/s‑8Å/s。采用He气和含碳的前驱体混合物作为反应源；惰性气体He对碳源的比例为5‑50。含碳的前驱体包括甲烷、乙烯、乙炔、苯、PMMA及一种或多种含碳的气体和或源。本发明采用ICP‑CVD低温沉积致密的非晶碳薄膜，沉积的薄膜性质可控，工艺窗口大。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 非晶碳薄膜 制备 乙炔 致密 等离子体轰击 前驱体混合物 薄膜性质 低温沉积 惰性气体 工艺窗口 生长 反应源 前驱体 甲烷 可控 乙烯 | ||
【主权项】：
1.一种ICP‑CVD制备非晶碳薄膜的沉积方法 ，其特征在于，沉积过程为生长‑等离子体轰击‑生长；进行1个或者多个循环；沉积速率是2.5Å/s‑8 Å/s。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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