[发明专利]单晶石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201910702309.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110408990A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体材料制备技术领域，提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括：在预设衬底上沉积铜和镍；将沉积了铜和镍的衬底在第一预设气体氛围以及第一预设温度下退火处理第一预设时间，得到铜镍合金衬底样品；将铜镍合金衬底样品在第二预设气体氛围以及第二预设温度下氧化第二预设时间，得到氧化衬底样品；将氧化衬底样品放置在化学气相沉积CVD炉中，将CVD炉中温度快速升温到第三预设温度后，在CVD炉中通入第三预设气体，在氧化衬底样品上生长第三预设时间后，停止通入第三预设气体，并采用第四预设气体保护，快速降温至第四预设温度，获得单晶石墨烯。本发明通过选取预设衬底和将铜镍合金表面经过预氧化，实现了单晶石墨烯的超快平整生长。 | ||
| 搜索关键词： | 预设 衬底 单晶石墨 铜镍合金 气体氛围 沉积 制备 化学气相沉积 制备技术领域 半导体材料 快速降温 快速升温 气体保护 退火处理 样品放置 预氧化 生长 平整 | ||
【主权项】：
1.一种单晶石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：在预设衬底上沉积具有第一预设厚度的铜，在所述铜上沉积具有第二预设厚度的镍；将沉积了铜和镍的衬底在第一预设气体氛围以及第一预设温度下退火处理第一预设时间，得到铜镍合金衬底样品；将所述铜镍合金衬底样品在第二预设气体氛围以及第二预设温度下氧化第二预设时间，得到氧化衬底样品；将所述氧化衬底样品放置在化学气相沉积CVD炉中，将CVD炉中温度快速升温到第三预设温度后，在所述CVD炉中通入第三预设气体，在所述氧化衬底样品上生长第三预设时间后，停止通入所述第三预设气体，并采用第四预设气体保护，快速降温至第四预设温度，获得单晶石墨烯。
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