[发明专利]微电子器件及微电子器件制作方法

摘要

本申请实施例提供一种微电子器件及微电子器件制作方法，该微电子器件包括基于衬底制作形成的至少两个相互间隔的、与衬底掺杂类型相反的掺杂阱，及基于衬底一侧制作形成的与各掺杂阱接触的外延结构。所述外延结构远离衬底一侧设置有相互级联的至少两个功率器件，其中每个功率器件与一个掺杂阱对应设置，且各功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。如此，通过在衬底中形成相互间隔的掺杂阱，且将各个功率器件的低电位端连接至对应的掺杂阱，使得衬底电压和各个功率器件的低电位端为相同电位，抑制因电子注入到外延结构中而造成功率器件性能的偏移或退化。

主权项

1.一种微电子器件，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底制作形成的至少两个相互间隔的掺杂阱，每个所述掺杂阱的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相反；基于所述衬底一侧制作形成的外延结构，该外延结构与各所述掺杂阱接触；基于所述外延结构远离所述衬底一侧设置的相互级联的至少两个功率器件，其中，每个所述功率器件与一个所述掺杂阱对应设置，且各所述功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。