[发明专利]一种基于二氧化钒的动态控制太赫兹超表面器件有效
| 申请号： | 201910703195.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110488509B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 郝晓林;张雅鑫;杨梓强;梁士雄;施奇武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02F1/017 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于二氧化钒的动态控制太赫兹超表面器件，属于电磁功能器件技术领域。该超表面器件包括基底，形成于基底之上的表面磁场增强结构，以及形成于基底下表面的金属层；其中，所述磁场增强结构包括多个阵列排列的单元结构，所述单元结构包括阿基米德螺旋线和长条形二氧化钒。本发明超表面器件中，采用二氧化钒与金属结合形成表面磁场增强结构，在激光照射下，该超表面器件的表面磁场与入射磁场相比增强了124.48倍，实现了表面磁场的增强；而在无激光照射下，该超表面器件的表面磁场与入射磁场相比仅增强1.57倍，两者相差79倍，实现了表面磁场的动态调控，可以视为一种开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 动态控制 赫兹 表面 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于二氧化钒的动态控制太赫兹超表面器件，其特征在于，包括基底，形成于基底之上的表面磁场增强结构，以及形成于基底下表面的金属层；其中，所述磁场增强结构包括多个阵列排列的单元结构，所述单元结构包括阿基米德螺旋线和长条形二氧化钒。/n
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