[发明专利]TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备有效
| 申请号： | 201910703529.2 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110600390B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈思;王之哲;周斌;付兴;尧彬;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 罗平 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 结构 击穿 寿命 测试 方法 装置 系统 控制 设备 | ||
【主权项】：
1.一种TSV结构电击穿寿命测试方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；所述第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节所述待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；/n在所述初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以所述初始电压为起点逐渐增大施加在所述待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过所述信号采集设备实时采集所述待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；/n在所述当前漏电流满足失效判据时，获取所述电源设备调节电压的总时长，并将所述总时长确认为所述待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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