[发明专利]载盘的处理方法在审
| 申请号： | 201910703561.0 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309925A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 夏黎明;曹志强 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种载盘的处理方法。载盘包括盘体以及位于盘体中的多个凹槽，该处理方法包括以下步骤：去除载盘表面的生长物质，并在除凹槽之外的盘体表面生长水氧吸收材料，水氧吸收材料用于与盘体表面的氧原子结合。上述处理方法在去除盘体表面的生长物质之后，先在盘体表面生长水氧吸收材料，用于与盘体表面的氧原子结合，然后再放置基体进行半导体材料等生长物质的沉积或溅射，通过吸附残余水氧，避免了现有技术中生长物质的去除工艺导致的水氧等杂质的引入，给后续生长创造一个洁净的环境，提高了物质的生长良率，从而提高了产品的串阻升高。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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