[发明专利]一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910703699.0 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110491988A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李煜;向有缘;张晗;李均钦;刘福生;张朝华 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ag掺杂的GeSe基热电材料，所述Ag掺杂的GeSe基热电材料的化学通式为Ge1‑xAgxSe，其中，x为Ag的摩尔分数，1‑x为Ge的摩尔分数，0＜x≤0.07。本发明所述Ag掺杂的GeSe基热电材料，相较于传统P型低载流子浓度的GeSe基材料，其载流子浓度大幅提升，材料内部产生较多晶界散射，有效降低材料的晶格热导率，表现出极低的总热导率，从而显著提升其热电优值，热电性能得到极大程度的改善。本发明还提供了该Ag掺杂的GeSe基热电材料的制备方法和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 热电材料 掺杂的 载流子 摩尔分数 制备方法和应用 晶格热导率 材料内部 化学通式 热电性能 基材料 热导率 散射 多晶 热电 表现 | ||
【主权项】：
1.一种Ag掺杂的GeSe基热电材料，其特征在于，所述Ag掺杂的GeSe基热电材料的化学通式为Ge1-xAgxSe，其中，x为Ag的摩尔分数，1-x为Ge的摩尔分数，0＜x≤0.07。/n
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