[发明专利]一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法有效
| 申请号： | 201910704863.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110723757B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李洪森;胡正强;赵忠晨;郭向欣 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;C01G51/00;H01M10/054;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人： | 刘熙 |
| 地址： | 266071 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法，所述八硫化九钴多孔纳米片的制备方法包括采用水热反应制备八硫化九钴多孔纳米片的前驱体；将所述前驱体依次进行煅烧和固相硫化处理，获得八硫化九钴多孔纳米片。采用本申请实施例提供的方法，八硫化九钴多孔纳米片的制备只需要水热反应结合后续煅烧和固相硫化处理即可得到，所需水热温度只需60‑210℃，煅烧温度只需400‑500℃，条件温和，对外界环境要求宽松。另外，上述方法步骤简单，方便重复制备，而且所需原料价格较低，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 多孔 纳米 正极 材料 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种八硫化九钴多孔纳米片，其特征在于，所述纳米片的形貌为片状，所述纳米片上分布有介孔。/n
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