[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910705010.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110429092A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 魏代龙;杨帆 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电器件；沟槽隔离结构，形成于所述半导体衬底中且位于所述光电器件之间；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，形成于所述光电器件上的半导体衬底内且位于所述沟槽隔离结构之间；传输栅极，形成于所述光电器件一侧的沟槽隔离结构中，所述传输栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和光电器件接近；控制栅极，形成于所述光电器件上的半导体衬底的第一表面上，所述控制栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和第二浮置扩散区接近。本申请实现了图像传感器的高动态范围和高灵敏度，提高了图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光电器件 浮置扩散区 图像传感器 衬底 半导体 沟槽隔离结构 传输栅极 控制栅极 第一表面 高灵敏度 高动态 分立 申请 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电器件；沟槽隔离结构，形成于所述半导体衬底中且位于所述光电器件之间；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，形成于所述光电器件上的半导体衬底内且位于所述沟槽隔离结构之间；传输栅极，形成于所述光电器件一侧的沟槽隔离结构中，所述传输栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和光电器件接近；控制栅极，形成于所述光电器件上的半导体衬底的第一表面上，所述控制栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和第二浮置扩散区接近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
