[发明专利]一种鉴别SiC中缺陷的方法在审
| 申请号： | 201910705150.5 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112304909A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;慈爽;徐现刚;谢雪健;杨祥龙 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/65 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鉴别SiC中缺陷的方法，属于半导体缺陷的测量领域，方法包括将SiC样品采用激光扫描共聚焦荧光显微镜观察，根据收集发光的情况，鉴别SiC中微管、空洞情况。该方法简单可靠，特别适用于高掺杂不透明SiC的缺陷观察，可对任一晶型和掺杂的SiC衬底生产的任一工序内的产品进行检测，有利于实施生产过程质量控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鉴别 sic 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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