[发明专利]功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910705227.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110335895A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈文高;杨东林;刘侠 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种功率器件，所述功率器件划分为元胞区、过渡区和终端区，所述功率器件包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底上方；第二外延层，设置于所述第一外延层上方；多个体区，设置于所述第二外延层中；多个元胞区沟槽，设置于元胞区的所述第二外延层中；多个过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第二外延层中；多个终端区沟槽，设置于终端区的所述第二外延层中；其中，所述过渡区沟槽底部和终端区沟槽底部的介质层厚度均大于所述元胞区沟槽底部的介质层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 功率器件 过渡区 元胞区 终端区 介质层 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，所述功率器件划分为元胞区、过渡区和终端区，所述功率器件包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底上方；第二外延层，设置于所述第一外延层上方；多个体区，设置于所述第二外延层中；多个元胞区沟槽，设置于元胞区的所述第二外延层中；多个过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第二外延层中；多个终端区沟槽，设置于终端区的所述第二外延层中；其中，所述过渡区沟槽底部和终端区沟槽底部的介质层厚度均大于所述元胞区沟槽底部的介质层厚度。
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