[发明专利]自旋电子器件和存内逻辑计算器件有效
| 申请号： | 201910705776.6 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110459254B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高天琦;曾琅;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋电子器件和存内逻辑计算器件。该自旋电子器件包括：金属层；自由磁性层，具有响应于外部磁场变化的磁化方向；固定磁性层，具有固定的磁化方向；氧化层，包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层位于金属层与自由磁性层之间；第二氧化层位于自由磁性层与固定磁性层之间。本发明可以令单一器件同时实现存储与逻辑处理，加工方便，降低了传输功耗和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 电子器件 逻辑 计算 器件 | ||
【主权项】：
1.一种自旋电子器件，其特征在于，包括：/n金属层；/n自由磁性层，具有响应于外部磁场变化的磁化方向；/n固定磁性层，具有固定的磁化方向；/n氧化层，包括第一氧化层和第二氧化层；/n所述第一氧化层位于所述金属层与所述自由磁性层之间；/n所述第二氧化层位于所述自由磁性层与所述固定磁性层之间。/n
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