[发明专利]具有集成的温度测量电气装置的衬底保持器有效
申请号: | 201910705838.3 | 申请日: | 2016-08-15 |
公开(公告)号: | CN110571180B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 埃里克·佩普;达雷尔·欧利希;经常友 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/66;G01K7/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有集成的温度测量电气装置的衬底保持器。衬底保持器包括基板、设置在所述基板上面的结合层、以及设置在所述结合层上面的陶瓷层。所述陶瓷层具有包括被配置来支撑衬底的区域的顶表面。若干温度测量电气装置被附着到所述陶瓷层。导电迹线被嵌在所述陶瓷层内且被设置并布线为与所述若干温度测量电气装置的一或多个电触头电气连接。电线被设置为电接触所述导电迹线。所述电线从陶瓷层延伸穿过结合层并穿过基板到控制电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 温度 测量 电气 装置 衬底 保持 | ||
【主权项】:
1.一种衬底保持器,包括:/n陶瓷层,所述陶瓷层具有包括被配置成支撑衬底的区域的顶表面;/n在所述陶瓷层内的射频功率输送电极;/n在所述陶瓷层内的与所述射频功率输送电极电连接的多个射频功率输送连接模块,所述多个射频功率输送连接模块定位成在所述陶瓷层内在所述射频功率输送电极下方形成法拉第笼;以及/n在所述法拉第笼的内部区域内附接到所述陶瓷层的至少一个温度测量电气装置,所述至少一个温度测量电气装置中的每一个被配置成测量所述陶瓷层的相应的局部温度,所述法拉第笼被配置成将所述至少一个温度测量电气装置周围的射频功率路由到所述射频功率输送电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910705838.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造