[发明专利]一种近零介电常数可控基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201910705905.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110453183A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;颜廷贞;张大伟;师境奇;李正旺;陶春先 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 31204 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200093*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种近零介电常数可控基底及其制备方法，包括：将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照薄膜的表面，使薄膜改性得到近零介电常数可控基底。本发明所提供的近零介电常数可控基底的制备方法制备成本低、工艺周期短，通过调节激光参数的方法能够方便地得到介电常数实部近零点的大波段范围的调控；制备得到的近零介电常数可控基底具有良好的灵敏度，在光子器件和光互连领域具以及光子信号处理与CMOS兼容非线性光学等领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 基底 可控 制备 激光参数 电子束蒸发法 光子信号处理 电子束真空 非线性光学 脉冲激光器 薄膜改性 大气环境 辐照薄膜 工艺周期 光子器件 透明导电 蒸发设备 灵敏度 光互连 波段 膜料 实部 沉积 薄膜 兼容 洁净 调控 应用 | ||
【主权项】：
1.一种近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在所述基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；/n步骤2，在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照所述薄膜的表面，使所述薄膜改性得到近零介电常数可控基底。/n
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