[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910706032.6 申请日: 2019-08-01
公开(公告)号: CN110311643A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 张树民;王国浩;汪泉;陈海龙;郑根林;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 杭州左蓝微电子技术有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 代理人: 李明
地址: 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。制备方法包括:提供第一基板和第二基板;在第一基板上形成第一凹槽;在第二基板上形成至少一组纵向布拉格反射栅,每组均包括至少两层具有不同声阻抗的薄膜材料层;将第二基板设置有纵向布拉格反射栅的一侧与第一基板设置有第一凹槽的一侧键合;在第二基板背离第一基板的一侧形成压电堆叠结构;在压电堆叠结构的边缘区域形成至少一组横向反射栅,以完成所述薄膜体声波谐振器的制备。本发明制备的薄膜体声波谐振器在横向与纵向上均设置反射栅,有利于将声波能量限制在器件有效区域,实现能陷作用,可以进一步提高器件的Q值,从而使谐振器具有较高的频率稳定度。
搜索关键词: 薄膜体声波谐振器 制备 第二基板 第一基板 布拉格反射栅 堆叠结构 压电 薄膜材料层 频率稳定度 边缘区域 横向反射 声波能量 有效区域 反射栅 谐振器 键合 两层 阻抗 背离
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S110、提供第一基板和第二基板;S120、在所述第一基板上形成第一凹槽;S130、在所述第二基板上形成至少一组纵向布拉格反射栅,每组所述纵向布拉格反射栅均包括至少两层具有不同声阻抗的薄膜材料层;S140、将所述第二基板设置有所述纵向布拉格反射栅的一侧与所述第一基板设置有所述第一凹槽的一侧键合;S150、在所述第二基板背离所述第一基板的一侧形成压电堆叠结构,所述压电堆叠结构与所述纵向布拉格反射栅接触;S160、在所述压电堆叠结构的边缘区域形成至少一组横向反射栅,以完成所述薄膜体声波谐振器的制备。
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