[发明专利]氧化镓基日盲探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910706384.1 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110571301B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;吴枫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种日盲光电探测器及其制备方法，日盲光电探测器包括：含氧化镓外延层的氧化镓衬底；源极和漏极，分别与氧化镓衬底形成肖特基接触；氧化硅钝化层，形成于氧化镓衬底、源极和漏极之上；从氧化硅钝化层开设置氧化镓衬底内的沟槽；氧化铝层，形成于沟槽底部和沟槽侧壁；栅极，沟槽的氧化铝层之上及氧化硅钝化层之上。本发明采用特定的三端结构，通过栅极可以调节沟道的载流子浓度，从而可以很便利的调节器件的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 镓基日盲 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种日盲光电探测器，其特征在于包括：/n含氧化镓外延层的氧化镓衬底；/n源极和漏极，分别与氧化镓衬底形成肖特基接触；/n氧化硅钝化层，形成于氧化镓衬底、源极和漏极之上；/n从氧化硅钝化层开设至氧化镓衬底内的沟槽；/n氧化铝层，形成于沟槽底部和沟槽侧壁；/n栅极，沟槽的氧化铝层之上及氧化硅钝化层之上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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