[发明专利]具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池的制备方法在审
| 申请号： | 201910708202.4 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110484880A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张跃;时明月;康卓;司浩楠 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/58;C23C14/54;C23C14/24;C23C14/18;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11237 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 张仲波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明的技术方案要点为：通过磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底上生长出结晶取向可控的空穴传输层薄膜，然后在空穴传输层上依次旋涂钙钛矿吸光层、电子传输层，最后蒸镀电极，制得基于单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池。通过调控空穴传输层薄膜的晶体取向，进而可以实现对空穴传输层薄膜表面原子、能带结构排列、配位、表面能、结构缺陷的调控。本发明基于单一结晶取向的空穴传输层薄膜制备成钙钛矿太阳能电池，不仅提高了空穴传输层输运层的导电性、载流子迁移率和电荷提取能力，而且改善了钙钛矿薄膜的形貌，进而提升了钙钛矿太阳能电池的光伏性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 空穴传输层薄膜 空穴传输层 结晶取向 太阳能电池 太阳能电池领域 技术方案要点 载流子迁移率 导电性 形貌 电子传输层 钙钛矿薄膜 表面原子 磁控溅射 电池制备 电荷提取 光伏性能 结构缺陷 晶体取向 能带结构 表面能 可控的 输运层 吸光层 电极 调控 衬底 配位 旋涂 蒸镀 制备 电池 生长 | ||
【主权项】：
1.一种具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射的方法，通过调节磁控溅射过程中的溅射气氛、基底温度、退火温度参数，在FTO导电玻璃衬底上制备出不同结晶取向的空穴传输层薄膜，空穴传输层薄膜结晶取向可控；然后在NiO薄膜上依次旋涂钙钛矿吸光层、电子传输层、最后蒸镀电极，制得基于单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池。/n
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