[发明专利]一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法

摘要

本发明提供了一种铋系半导体Bi₂MO₆复合TiO₂纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：首先通过电化学阳极氧化法在金属钛或钛合金表面制备TiO₂纳米管阵列，然后对其进行半导体复合，制备得到了一种铋系半导体Bi₂MO₆复合的TiO₂纳米管阵列。该半导体复合材料制备方法简单，化学稳定性好，具有独特的纳米异质结结构，这种特殊的构造可以有效抑制光生电子‑空穴对的复合，使光电转换效率增高，为高性能光电转换材料的开发和应用提供思路。

主权项

1.一种铋系半导体Bi₂MO₆复合TiO₂纳米管阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：S1：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备TiO₂纳米管有序阵列；S2：通过水热法将Bi₂MO₆与TiO₂纳米管阵列进行复合，制备得到一种铋系半导体Bi₂MO₆复合的TiO₂纳米管阵列。