[发明专利]一种阳离子掺杂钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201910710710.6 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110518125A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 张跃;时明月;康卓;司浩楠 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 11237 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 张仲波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种阳离子掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池领域。对所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层进行阳离子掺杂,在透明FTO导电玻璃衬底上旋涂SnO2薄膜作为电子传输层,在电子传输层上用一步溶液法制备钙钛矿吸光层,在钙钛矿的前驱体溶液中掺入阳离子,然后旋涂Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,最后蒸镀金电极制得阳离子掺杂的钙钛矿太阳能电池。本发明通过对钙钛矿吸光层阳进行阳离子掺杂,改善了钙钛矿吸光层的光物理特性,进而提高了钙钛矿太阳能电池的光伏性能。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 阳离子掺杂 太阳能电池 吸光层 电子传输层 太阳能电池领域 空穴传输层 前驱体溶液 镀金电极 光伏性能 一步溶液 光物理 阳离子 掺入 衬底 上旋 旋涂 制备 薄膜 透明 | ||
【主权项】:
1.一种阳离子掺杂钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:在透明FTO导电玻璃衬底上旋涂SnO2薄膜作为电子传输层,在电子传输层上用一步溶液法制备钙钛矿吸光层,在钙钛矿的前驱体溶液中掺杂阳离子,然后旋涂Spiro-OMeTAD作为空穴传输层,最后蒸镀金电极制得阳离子掺杂的钙钛矿太阳能电池。/n
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