[发明专利]基于AFM直写式力电耦合刻蚀加工准三维微纳米结构的方法在审
申请号: | 201910710823.6 | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN110526203A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 杨晔 | 申请(专利权)人: | 上海师范大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 31225 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋亮珠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 200234 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于AFM直写式力电耦合刻蚀加工准三维微纳米结构的方法,该方法可在真空或大气环境下进行,在刻蚀过程中,利用AFM探针作为力电耦合刻蚀的刀具和电极,对样品表面同时施加机械力和电场的复合作用,并且在水平方向上按照扫描加工路径移动AFM探针,实现在样品的指定区域上去除材料,保持同一刻蚀深度,从而形成准三维的微纳米结构。与现有技术相比,本发明是一种直写式的微纳米刻蚀加工方法,制造过程无须传统微纳米刻蚀加工中的光刻胶和掩膜工艺,操作过程方便灵活,可控性强,且刻蚀精度高,加工后的表面粗糙度可低至3.0nm,在微纳米器件加工领域中具有广泛的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 加工 微纳米结构 力电耦合 微纳米 准三维 探针 直写 表面粗糙度 施加机械力 微纳米器件 电场 操作过程 大气环境 复合作用 刻蚀过程 路径移动 扫描加工 掩膜工艺 样品表面 制造过程 光刻胶 可控性 电极 刀具 灵活 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于AFM直写式力电耦合刻蚀加工准三维微纳米结构的方法,其特征在于,在刻蚀过程中,利用AFM探针作为力电耦合刻蚀的刀具和电极,对样品表面同时施加机械力和电场的复合作用,并且在水平方向上按照扫描加工路径移动AFM探针,实现在样品的指定区域上去除材料,保持同一刻蚀深度,从而形成准三维的微纳米结构。/n
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