[发明专利]用于GaN基启动电路的系统和方法在审
| 申请号： | 201910710866.4 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110798059A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | O.赫伯伦;G.德博瓦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/36 | 分类号： | H02M1/36;H02M3/335;H01L27/07 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑瑾彤;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于GaN基启动电路的系统和方法。根据一个实施例，一种电路包括：第一氮化镓（GaN）晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到源极节点的源极以及耦合到栅极节点的栅极；以及第二GaN晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到第一电源节点的源极，第一电源节点被配置成耦合到第一电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合到 电源节点 漏极节点 漏极 源极 第一电容器 启动电路 源极节点 栅极节点 氮化镓 晶体管 电路 配置 | ||
【主权项】：
1.一种启动电路的方法，所述方法包括：/n在启动电路的漏极节点处接收第一电压，所述启动电路包括具有耦合到所述漏极节点的漏极的第一氮化镓（GaN）晶体管、具有耦合到所述漏极节点的漏极和耦合到参考节点的栅极的第二GaN晶体管、以及耦合到第二GaN晶体管的源极的第一电容器；/n经由第二GaN晶体管对第一电容器充电；/n从第一电容器向耦合到第一GaN晶体管的栅极的驱动电路供能；以及/n当第一电容器的电压达到阈值时，关断第二GaN晶体管。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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