[发明专利]一种粉葛组培苗的富硒栽培方法

摘要

本发明涉及粉葛栽培技术领域，具体的是一种粉葛组培苗的富硒栽培方法。一种粉葛组培苗的富硒栽培方法，包括以下步骤：选地、开沟施基肥、起垄、水分管理、除草、搭架、整蔓、疏枝、露根及留薯、叶面喷施硒肥、采收及保存和质量控制。本发明的方法可将粉葛的块根中硒含量提高到0.145mg/kg(鲜样)，比常规栽培管理提高了174.11％，符合广西在2014年颁布的DB45/T 1061‑2014中规定的薯类0.02‑0.20mg/kg(鲜样)的富硒标准；组培苗移栽成活率达98％，商量产量提高18％。该方法具有高效、无污染、经济的优点。

主权项

1.一种粉葛组培苗的富硒栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）选地：选择疏松砂壤土，有机质层的厚度≥60cm，避免易被洪水淹没的地块；（2）开沟施基肥：在定植行上开30cm以上深沟施基肥；（3）起垄：做龟背状垄面，垄宽100‑110cm，垄高60‑70cm，沟宽40‑50cm，在垄面每间隔50cm做一个土堆，每堆定植1株粉葛组培苗，亩种植800‑1000株；（4）水分管理：定植后，田间持水量保持为70‑80%；（5）除草：用浅齿耙中耕松土，中耕松土可结合除草进行，在5月份、6月份、8月份和10月份各除草1次，保持粉葛地土壤疏松无杂草；（6）搭架：粉葛组培苗成活后，待粉葛藤蔓长至30‑40cm时，立杆，架高1.5‑2m，每株立1杆，不让粉葛藤触地生根，将粉葛藤引上杆，使藤蔓在四周均匀分布；（7）整蔓：当粉葛苗长至1.5m时，主根茎部会萌发藤蔓，每蔸选留2枝粗壮藤蔓作主蔓，其余全部剪除，并将主蔓的侧芽及基部须根剪除，去除主蔓100cm以下的老叶；（8）疏枝：当主蔓长到2.0‑2.2m、侧蔓长到20cm，进行打顶摘心，抹除侧蔓上萌发的嫩枝蔓进行；（9）露根及留薯：6月中旬至7月初，当粉葛苗的叶片颜色由浅绿色转为深绿色时，扒开植株基部表土，露出葛根头，避免接触土壤，块根长至直径2‑3cm时，及时进行修根，此时为粉葛块根的形成初期，每株选留2‑3条最粗壮的葛根，其余的割除；（10）叶面喷施硒肥：在粉葛块根膨大初期，喷施1次有机螯合硒叶面肥，每666.7m²使用硒含量为0.22%的有机螯合硒叶面肥1000mL，需稀释300‑600倍后均匀喷施于粉葛叶片上，如喷施后10h内遇下雨，则再喷施1次；在粉葛块根膨大中期，结合培土根施复合肥，每666.7m²追施15:15:15复合肥80‑100kg；（11）采收及保存：以12月底到翌年2月采收，采收的块根应及时加工；表皮有损伤的块根，应用草木灰或干黄泥涂抹伤口；（12）质量控制：从保存的粉葛中随机抽样，检测粉葛的全硒含量，检测方法按 GB 5009.93执行，并根据检测结果，做好标签。